MDH3331RH Todos los transistores

 

MDH3331RH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDH3331RH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 101 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm

Encapsulados: SOT-23

 Búsqueda de reemplazo de MDH3331RH MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MDH3331RH datasheet

 ..1. Size:644K  magnachip
mdh3331rh mdh3331rp.pdf pdf_icon

MDH3331RH

MDH3331 P-Channel Trench MOSFET, -20V, -3.5A, 75m General Description Features The MDH3331 uses advanced MagnaChip s Trench VDS = -20V MOSFET Technology to provided high performance in on- ID = -3.5 @ VGS = -10V state resistance, switching performance and reliability. RDS(ON)

Otros transistores... MDF7N60BTH , MDF7N65BTH , MDF8N60BTH , MDF9N50BTH , MDF9N50FTH , MDF9N60BTH , MDFS10N60DTH , MDFS4N65DTH , 5N65 , MDH3331RP , MDHT3N40URH , MDHT4N20YURH , MDHT4N25URH , MDHT7N25URH , MDI1752TH , MDI1N60STH , MDI2N60 .

History: PTA25N50 | BRCS50N06RA | APM4461K | MDF6N65BTH | HM18N40A | APM4425K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.