MDH3331RH Todos los transistores

 

MDH3331RH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDH3331RH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 101 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
     - Selección de transistores por parámetros

 

MDH3331RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:644K  magnachip
 mdh3331rh mdh3331rp.pdf pdf_icon

MDH3331RH

MDH3331P-Channel Trench MOSFET, -20V, -3.5A, 75mGeneral Description Features The MDH3331 uses advanced MagnaChips Trench VDS = -20V MOSFET Technology to provided high performance in on- ID = -3.5 @ VGS = -10V state resistance, switching performance and reliability. RDS(ON)

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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