MDH3331RP Todos los transistores

 

MDH3331RP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDH3331RP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 101 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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MDH3331RP datasheet

 ..1. Size:644K  magnachip
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MDH3331RP

MDH3331 P-Channel Trench MOSFET, -20V, -3.5A, 75m General Description Features The MDH3331 uses advanced MagnaChip s Trench VDS = -20V MOSFET Technology to provided high performance in on- ID = -3.5 @ VGS = -10V state resistance, switching performance and reliability. RDS(ON)

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