MDI6N60BTH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MDI6N60BTH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MDI6N60BTH

MDI6N60BTH Datasheet (PDF)

..1. Size:789K magnachip
mdi6n60bth.pdf

MDI6N60B N-Channel MOSFET 600V, 4.5A, 1.45General Description Features The MDI6N60B uses advanced MagnaChips MOSFET VDS = 600V Technology, which provides low on-state resistance, high ID = 4.5A @ VGS = 10V switching performance and excellent quality. RDS(ON) 1.45 @ VGS = 10V MDI6N60B is suitable device for SMPS, high Speed Applications swi

8.1. Size:796K magnachip
mdi6n65bth.pdf

MDI6N65B N-Channel MOSFET 650V, 5.7A, 1.45General Description Features The MDI6N65B use advanced Magnachips VDS = 650V MOSFET Technology, which provides low on-state ID = 5.7A @VGS = 10V resistance, high switching performance and RDS(ON) 1.45 @VGS = 10V excellent quality. MDI6N65B is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications. Applicat

8.2. Size:321K inchange semiconductor
mdi6n65bth.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor MDI6N65BTHFEATURESDrain Current : I = 5.7A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.45(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sol

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Liste

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