MDIS1501TH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MDIS1501TH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 67.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.7 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 12.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 261 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251-VS

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MDIS1501TH

MDIS1501TH Datasheet (PDF)

..1. Size:704K magnachip
mdis1501th.pdf

MDIS1501 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 67.4A, 5.6mGeneral Description Features The MDIS1501 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 30V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 67.4A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX)quality. MDIS1501 is suitable device for DC to DC

7.1. Size:693K magnachip
mdis1502th.pdf

MDIS1502 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 45.7A, 8.5mGeneral Description Features The MDIS1502 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 30V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 45.7A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX)quality. MDIS1502 is suitable device for DC to DC

9.1. Size:805K magnachip
mdis1903th.pdf

MDIS1903 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 12.8A, 105m General Description Features The MDIS1903 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 100V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 12.8A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent RDS(ON) (MAX) quality. MDIS1903 is suitable device for DC to DC

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