MDP2N60TH Todos los transistores

MDP2N60TH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDP2N60TH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 53.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm

Encapsulados: TO-220

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros