MDQ18N50GTP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDQ18N50GTP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 302 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
Encapsulados: TO-247
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MDQ18N50GTP datasheet
mdq18n50gth mdq18n50gtp.pdf
MDQ18N50G N-Channel MOSFET 500V, 20.0A, 0.27 General Description Features . V = 500V DS These N-channel MOSFET are produced using advanced I = 20.0A @ V = 10V D GS MagnaChip s MOSFET Technology, which provides low on- R 0.27 @ V = 10V DS(ON) GS state resistance, high switching performance and excellent quality. Applications These devices are s
mdq18n50gtp.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor MDQ18N50GTP FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.27 (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and sol
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