MDQ18N50GTP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MDQ18N50GTP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 302 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MDQ18N50GTP

MDQ18N50GTP Datasheet (PDF)

..1. Size:915K magnachip
mdq18n50gth mdq18n50gtp.pdf

MDQ18N50G N-Channel MOSFET 500V, 20.0A, 0.27 General Description Features . V = 500V DSThese N-channel MOSFET are produced using advanced I = 20.0A @ V = 10V D GSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- R 0.27 @ V = 10V DS(ON) GSstate resistance, high switching performance and excellent quality. Applications These devices are s

..2. Size:328K inchange semiconductor
mdq18n50gtp.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor MDQ18N50GTPFEATURESDrain Current : I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.27(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sol

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: