MDQ18N50GTP - описание и поиск аналогов

 

MDQ18N50GTP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDQ18N50GTP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 302 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для MDQ18N50GTP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDQ18N50GTP даташит

 ..1. Size:915K  magnachip
 mdq18n50gth mdq18n50gtp.pdf pdf_icon

MDQ18N50GTP

MDQ18N50G N-Channel MOSFET 500V, 20.0A, 0.27 General Description Features . V = 500V DS These N-channel MOSFET are produced using advanced I = 20.0A @ V = 10V D GS MagnaChip s MOSFET Technology, which provides low on- R 0.27 @ V = 10V DS(ON) GS state resistance, high switching performance and excellent quality. Applications These devices are s

 ..2. Size:328K  inchange semiconductor
 mdq18n50gtp.pdf pdf_icon

MDQ18N50GTP

isc N-Channel MOSFET Transistor MDQ18N50GTP FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.27 (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and sol

Другие MOSFET... MDP7N60BTH , MDP7N60TH , MDP8N60TH , MDP9N50BTH , MDP9N60TH , MDQ16N50GTH , MDQ16N50GTP , MDQ18N50GTH , IRF540 , MDQ23N50DTP , MDS1521URH , MDS1524URH , MDS1525URH , MDS1526URH , MDS1527URH , MDS1528URH , MDS1651URH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.