Справочник MOSFET. MDQ18N50GTP

 

MDQ18N50GTP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MDQ18N50GTP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 302 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для MDQ18N50GTP

 

 

MDQ18N50GTP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:915K  magnachip
 mdq18n50gth mdq18n50gtp.pdf

MDQ18N50GTP MDQ18N50GTP

MDQ18N50G N-Channel MOSFET 500V, 20.0A, 0.27 General Description Features . V = 500V DSThese N-channel MOSFET are produced using advanced I = 20.0A @ V = 10V D GSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- R 0.27 @ V = 10V DS(ON) GSstate resistance, high switching performance and excellent quality. Applications These devices are s

 ..2. Size:328K  inchange semiconductor
 mdq18n50gtp.pdf

MDQ18N50GTP MDQ18N50GTP

isc N-Channel MOSFET Transistor MDQ18N50GTPFEATURESDrain Current : I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.27(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sol

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top