MDQ18N50GTP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MDQ18N50GTP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 302 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
Тип корпуса: TO-247
MDQ18N50GTP Datasheet (PDF)
mdq18n50gth mdq18n50gtp.pdf

MDQ18N50G N-Channel MOSFET 500V, 20.0A, 0.27 General Description Features . V = 500V DSThese N-channel MOSFET are produced using advanced I = 20.0A @ V = 10V D GSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- R 0.27 @ V = 10V DS(ON) GSstate resistance, high switching performance and excellent quality. Applications These devices are s
mdq18n50gtp.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor MDQ18N50GTPFEATURESDrain Current : I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.27(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sol
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IRFB3206GPBF | OSG60R108FZF | IXFH24N80P
History: IRFB3206GPBF | OSG60R108FZF | IXFH24N80P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DH060N07D | DH060N07B | DH060N03R | DH045N06I | DH045N06F | DH045N06E | DH045N06D | DH045N06B | DH045N06 | DH045N04P | DH045N04I | DH045N04F | DH045N04E | DH045N04D | DH045N04B | DH045N04
Popular searches
4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet