MDS3754ARH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDS3754ARH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
- Selección de transistores por parámetros
MDS3754ARH Datasheet (PDF)
mds3754arh.pdf

MDS3754A P-Channel Trench MOSFET, -40V, -6.0A, 45m General Description Features The MDS3754A uses advanced Magnachips Trench V = -40V DSMOSFET Technology to provided high performance in on- ID = -6.0 @ VGS = -10V state resistance, switching performance and reliability. R DS(ON)
mds3753eurh.pdf

MDS3753E P-Channel Trench MOSFET, -40V, -7.1A, 30m General Description Features The MDS3753E uses advanced MagnaChips MOSFET V = -40V DSTechnology to provide low on-state resistance, high I = -7.1A @ V = 10V D GS switching performance and excellent reliability R DS(ON)
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: VS3620DP-G | 2SJ152
History: VS3620DP-G | 2SJ152



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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