MDU1722VRH Todos los transistores

 

MDU1722VRH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDU1722VRH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 930 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN56
 

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MDU1722VRH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:943K  magnachip
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MDU1722VRH

MDU1722 Single N-channel Trench MOSFET 40V, 100A, 2.2m General Description Features The MDU1722 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 40V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 100A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON)quality. MDU1722 is suitable device for Synchronous

 8.1. Size:939K  magnachip
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MDU1722VRH

MDU1721 Single N-channel Trench MOSFET 40V, 100A, 1.4m General Description Features The MDU1721 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 40V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 100A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON)quality. MDU1721 is suitable device for Synchronous

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History: FIR4N65LG | RTF025N03 | AOW292 | WM05DP01D | NTTFS4H05N | B2N65 | IPA045N10N3G

 

 
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