MDU3605URH Todos los transistores

 

MDU3605URH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDU3605URH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERDFN56
 

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MDU3605URH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:762K  magnachip
 mdu3605urh.pdf pdf_icon

MDU3605URH

MDU3605Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -35.6A, 17.0m General Description Features The MDU3605 uses advanced MagnaChips MOSFET VDS = -30V Technology to provide low on-state resistance. ID = -35.6A @VGS = -10V RDS(ON) This device is suited for Power Management and load

 8.1. Size:732K  magnachip
 mdu3603rh.pdf pdf_icon

MDU3605URH

MDU3603Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -67A, 9.1m General Description Features The MDU3603 uses advanced MagnaChips MOSFET VDS = -30V Technology to provide low on-state resistance. I = -67A @V = -10V D GS RDS(ON) This device is suited for Power Management and load

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History: SSM3J114TU | SSG4503 | FDT1600N10A | BUZ907P | IRFI820A | FDS4935BZ

 

 
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