MDU3605URH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MDU3605URH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 12.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
Тип корпуса: POWERDFN56
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
MDU3605URH Datasheet (PDF)
mdu3605urh.pdf

MDU3605Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -35.6A, 17.0m General Description Features The MDU3605 uses advanced MagnaChips MOSFET VDS = -30V Technology to provide low on-state resistance. ID = -35.6A @VGS = -10V RDS(ON) This device is suited for Power Management and load
mdu3603rh.pdf

MDU3603Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -67A, 9.1m General Description Features The MDU3603 uses advanced MagnaChips MOSFET VDS = -30V Technology to provide low on-state resistance. I = -67A @V = -10V D GS RDS(ON) This device is suited for Power Management and load
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: MTA65N15H8 | PJW1NA80 | IXFX44N55Q | DMT4002LPS | XP161A11A1PR-G | P0660AT | DMC1229UFDB
History: MTA65N15H8 | PJW1NA80 | IXFX44N55Q | DMT4002LPS | XP161A11A1PR-G | P0660AT | DMC1229UFDB



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398