MDU5593SVRH Todos los transistores

 

MDU5593SVRH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDU5593SVRH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 446 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: PDFN56

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MDU5593SVRH datasheet

 ..1. Size:1512K  magnachip
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MDU5593SVRH

MDU5593S Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V General Description Features The MDU5593S uses advanced MagnaChip s MOSFET FET1 FET2 Technology, which provides high performance in on-state V = 30V V = 30V DS DS resistance, fast switching performance and excellent I = 34A I = 40A @V = 10V D D GS quality. MDU5593S is suitable for DC/DC converter and R DS(ON)

 9.1. Size:1483K  magnachip
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MDU5593SVRH

MDU5512 Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V General Description Features The MDU5512 uses advanced MagnaChip s MOSFET FET1 FET2 Technology, which provides high performance in on-state V = 30V V = 30V DS DS resistance, fast switching performance and excellent I = 46.1A I = 80A @V = 10V D D GS quality. MDU5512 is suitable for DC/DC converter and R DS(ON) g

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History: 2SJ360 | 2SK3036 | KHB8D8N25F | SRC60R075BS

 

 

 

 

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