Справочник MOSFET. MDU5593SVRH

 

MDU5593SVRH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDU5593SVRH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 446 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: PDFN56
 

 Аналог (замена) для MDU5593SVRH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDU5593SVRH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1512K  magnachip
 mdu5593svrh.pdf pdf_icon

MDU5593SVRH

MDU5593S Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V General Description Features The MDU5593S uses advanced MagnaChips MOSFET FET1 FET2 Technology, which provides high performance in on-state V = 30V V = 30V DS DSresistance, fast switching performance and excellent I = 34A I = 40A @V = 10V D D GSquality. MDU5593S is suitable for DC/DC converter and R DS(ON)

 9.1. Size:1483K  magnachip
 mdu5512urh.pdf pdf_icon

MDU5593SVRH

MDU5512 Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V General Description Features The MDU5512 uses advanced MagnaChips MOSFET FET1 FET2 Technology, which provides high performance in on-state V = 30V V = 30V DS DSresistance, fast switching performance and excellent I = 46.1A I = 80A @V = 10V D D GSquality. MDU5512 is suitable for DC/DC converter and R DS(ON)g

Другие MOSFET... MDU1536URH , MDU1721VRH , MDU1722VRH , MDU1931VRH , MDU2511SVRH , MDU3603RH , MDU3605URH , MDU5512URH , IRF1407 , MDU5692SVRH , MDU5693VRH , MDV1522URH , MDV1523URH , MDV1524URH , MDV1525URH , MDV1526URH , MDV1527URH .

History: SGSP591 | UT100N03G-TF3-T | 11NM70G-TF1-T | SVF8N65T | SM9989DSO | STS5NF60L

 

 
Back to Top

 


 
.