HY1607P Todos los transistores

 

HY1607P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY1607P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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HY1607P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2351K  hymexa
 hy1607p hy1607m hy1607b hy1607mf hy1607ps hy1607pm.pdf pdf_icon

HY1607P

SD GSDG SSDDGG TO-220FB-3L TO-220FB-3M TO-263-2L TO-3PM-3L SDG SSD

 ..2. Size:947K  hymexa
 hy1607p.pdf pdf_icon

HY1607P

HY1607PN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 68V/70ARDS(ON)= 6.5m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche testedGD Reliable and Rugged S Lead Free and Green Devices Available D(RoHS Compliant)ApplicationsGSwitching application Power Management for Inverter Systems.SN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeP : T

 8.1. Size:1089K  hymexa
 hy1607d hy1607u hy1607v.pdf pdf_icon

HY1607P

HY1607D/U/VN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin Description 68V/70ARDS(ON)= 6.8m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged SDG Lead Free and Green Devices AvailableSD(RoHS Compliant)GTO-252-2L TO-251-3LApplications Power Management for Inverter Systems.N-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage Cod

 9.1. Size:627K  hymexa
 hy1606p hy1606b.pdf pdf_icon

HY1607P

HY1606P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/66ARDS(ON)= 10.4 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and RuggedS Lead Free and Green Devices AvailableDG(RoHS Compliant)SDGTO-220FB-3L TO-263-2LApplicationsSwitching application Power Management for Inverter Systems.N-Channel MOSFETOrdering and

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History: IXFH170N10P

 

 
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