MSD30N06 Todos los transistores

 

MSD30N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSD30N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 147 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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MSD30N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1194K  bruckewell
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MSD30N06

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSD30N06 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES Low RDS (on) trench technology Low thermal impedance Fast switching speed Typical Applications: PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost converters MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Notes a. Surface Mount

 9.1. Size:550K  bruckewell
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MSD30N06

MSD30P06 P-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, and PCMCIA cards, cellular and cord

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History: SLF32N20C | GSM4804

 

 
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