MSD30N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSD30N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Tiempo de subida (tr): 12.8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 147 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.038 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MSD30N06
MSD30N06 Datasheet (PDF)
msd30n06.pdf
Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSD30N06 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES Low RDS (on) trench technology Low thermal impedance Fast switching speed Typical Applications: PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost converters MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Notes a. Surface Mount
msd30p06.pdf
MSD30P06 P-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, and PCMCIA cards, cellular and cord
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