MSD30N06 Todos los transistores

 

MSD30N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSD30N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 147 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MSD30N06 datasheet

 ..1. Size:1194K  bruckewell
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MSD30N06

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSD30N06 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES Low RDS (on) trench technology Low thermal impedance Fast switching speed Typical Applications PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost converters MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Notes a. Surface Mount

 9.1. Size:550K  bruckewell
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MSD30N06

MSD30P06 P-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, and PCMCIA cards, cellular and cord

Otros transistores... PMF250XN , TK10A60W , MSD20N06 , MSD20N10 , MSD23N22 , MSD23N58 , MSD2N60 , MSD2N70 , EMB04N03H , MSD30P06 , MSD40P03 , MSD4N40 , MSD4N60 , MSD4N70 , MSD50N03 , MSD50N10 , MSD80N03 .

History: MXP65D7AQ | PNMT6N2 | MXP4002AF | NTTFS4H05N | NTTFS5116PLTAG | MDV1529EURH | ME60N03

 

 

 

 

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