Справочник MOSFET. MSD30N06

 

MSD30N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSD30N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 147 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MSD30N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSD30N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1194K  bruckewell
 msd30n06.pdf pdf_icon

MSD30N06

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSD30N06 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES Low RDS (on) trench technology Low thermal impedance Fast switching speed Typical Applications: PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost converters MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Notes a. Surface Mount

 9.1. Size:550K  bruckewell
 msd30p06.pdf pdf_icon

MSD30N06

MSD30P06 P-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, and PCMCIA cards, cellular and cord

Другие MOSFET... PMF250XN , TK10A60W , MSD20N06 , MSD20N10 , MSD23N22 , MSD23N58 , MSD2N60 , MSD2N70 , 2SK3918 , MSD30P06 , MSD40P03 , MSD4N40 , MSD4N60 , MSD4N70 , MSD50N03 , MSD50N10 , MSD80N03 .

History: TPC60R150C | BRCS065N08SHRA | HUFA75337G3

 

 
Back to Top

 


 
.