MSD30N06 - описание и поиск аналогов

 

MSD30N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MSD30N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 147 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MSD30N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSD30N06 даташит

 ..1. Size:1194K  bruckewell
 msd30n06.pdf pdf_icon

MSD30N06

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSD30N06 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES Low RDS (on) trench technology Low thermal impedance Fast switching speed Typical Applications PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost converters MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Notes a. Surface Mount

 9.1. Size:550K  bruckewell
 msd30p06.pdf pdf_icon

MSD30N06

MSD30P06 P-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, and PCMCIA cards, cellular and cord

Другие MOSFET... PMF250XN , TK10A60W , MSD20N06 , MSD20N10 , MSD23N22 , MSD23N58 , MSD2N60 , MSD2N70 , EMB04N03H , MSD30P06 , MSD40P03 , MSD4N40 , MSD4N60 , MSD4N70 , MSD50N03 , MSD50N10 , MSD80N03 .

History: WMK36N60F2 | .8205S | 7N80G-TA3-T | 2SK3068K | TK7A60W | PNMT6N2 | DMG2302UQ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.