MSF20N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSF20N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 40 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 70 nC
Tiempo de subida (tr): 400 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 400 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.26 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MSF20N50
MSF20N50 Datasheet (PDF)
msf20n50.pdf
MSF20N50 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MSF20N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance S
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