MSF20N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSF20N50  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 400 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSF20N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSF20N50 даташит

 ..1. Size:843K  bruckewell
 msf20n50.pdf pdf_icon

MSF20N50

MSF20N50 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MSF20N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance S

Другие IGBT... MSF10N80A, MSF12N60, MSF12N65, MSF13N50, MSF14N60, MSF15N60, MSF16N50, MSF18N50, IRFB4110, MSF2N40, MSF2N60, MSF2N70, MSF3N80, MSF4N60, MSF4N60L, MSF4N65, MSF5N50