Справочник MOSFET. MSF20N50

 

MSF20N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSF20N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 400 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для MSF20N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSF20N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:843K  bruckewell
 msf20n50.pdf pdf_icon

MSF20N50

MSF20N50 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MSF20N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance S

Другие MOSFET... MSF10N80A , MSF12N60 , MSF12N65 , MSF13N50 , MSF14N60 , MSF15N60 , MSF16N50 , MSF18N50 , IRF640N , MSF2N40 , MSF2N60 , MSF2N70 , MSF3N80 , MSF4N60 , MSF4N60L , MSF4N65 , MSF5N50 .

History: SFF23N60S2 | FTK2312 | SPP08N80C3 | FQI3P20TU | HGN095NE4SL | QM3001V | IPB031NE7N3

 

 
Back to Top

 


 
.