MSF3N80 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSF3N80  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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MSF3N80 datasheet

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MSF3N80

MSF3N80 800V N-Channel MOSFET Description The MSF3N80 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features RDS(on) (Max 4.8 )@VGS=10V Gate Char

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MSF3N80

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTSF3N03HD/D Advance Information MTSF3N03HD Medium Power Surface Mount Products Motorola Preferred Device TMOS Single N-Channel Field Effect Transistor SINGLE TMOS Micro8 devices are an advanced series of power MOSFETs POWER MOSFET which utilize Motorola s High Cell Density HDTMOS process to 3.7 AMPERES achieve lo

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MSF3N80

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTSF3N02HD/D Advance Information MTSF3N02HD Medium Power Surface Mount Products Motorola Preferred Device TMOS Single N-Channel Field Effect Transistor SINGLE TMOS Micro8 devices are an advanced series of power MOSFETs POWER MOSFET which utilize Motorola s High Cell Density HDTMOS process to 3.8 AMPERES achieve lo

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