IRFS634 Todos los transistores

 

IRFS634 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFS634
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFS634 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  1
 irfs634.pdf pdf_icon

IRFS634

 ..2. Size:296K  1
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IRFS634

 0.1. Size:858K  fairchild semi
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IRFS634

November 2001IRF634B/IRFS634B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 8.1A, 250V, RDS(on) = 0.45 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 0.2. Size:859K  fairchild semi
 irf634b irfs634b.pdf pdf_icon

IRFS634

November 2001IRF634B/IRFS634B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 8.1A, 250V, RDS(on) = 0.45 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especially tailored to

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History: NDP7052L | 2N6792 | PMN45EN

 

 
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