IRFS634 - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFS634 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFS634
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFS634

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS634 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  1
 irfs634.pdf pdf_icon

IRFS634

 ..2. Size:296K  1
 irfs634 irfs635.pdf pdf_icon

IRFS634

 0.1. Size:858K  fairchild semi
 irfs634b.pdf pdf_icon

IRFS634

November 2001IRF634B/IRFS634B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 8.1A, 250V, RDS(on) = 0.45 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 0.2. Size:859K  fairchild semi
 irf634b irfs634b.pdf pdf_icon

IRFS634

November 2001IRF634B/IRFS634B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 8.1A, 250V, RDS(on) = 0.45 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especially tailored to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS620A , IRFS622 , IRFS624 , IRFS624A , IRFS625 , IRFS630 , IRFS630A , IRFS632 , AON6380 , IRFS634A , IRFS635 , IRFS640 , IRFS640A , IRFS642 , IRFS644 , IRFS644A , IRFS645 .

History: NCE65NF068D | NCE65N900F | HGA059N12S

 

 
Back to Top

 


 
.