MSF9N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSF9N70
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 35 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Tiempo de subida (tr): 70 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 165 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
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MSF9N70 Datasheet (PDF)
msf9n20.pdf
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msf9n90.pdf
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