MSF9N70 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSF9N70  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSF9N70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSF9N70 даташит

 9.1. Size:609K  bruckewell
 msf9n20.pdf pdf_icon

MSF9N70

MSF9N20 N-Channel 200-V (D-S) MOSFET Description The MSF9N20 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low RDS(on) trench technology Lo

 9.2. Size:811K  bruckewell
 msf9n90.pdf pdf_icon

MSF9N70

MSF9N90 900V N-Channel MOSFET Description The MSF9N90 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features RDS(on) (Max 1.4 )@VGS=10V Gate Charg

Другие IGBT... MSF6N90, MSF7N60, MSF7N65, MSF7N80, MSF8N50, MSF8N60, MSF8N80, MSF9N20, IRLB4132, MSF9N90, MSK19N03, MSK1N3, MSK2N60F, MSK2N60T, MSK4D5N60F, MSK4D5N60T, MSK4N80F