MSF9N90 Todos los transistores

 

MSF9N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSF9N90
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

 Búsqueda de reemplazo de MSF9N90 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MSF9N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:811K  bruckewell
 msf9n90.pdf pdf_icon

MSF9N90

MSF9N90 900V N-Channel MOSFET Description The MSF9N90 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features RDS(on) (Max 1.4 )@VGS=10V Gate Charg

 9.1. Size:609K  bruckewell
 msf9n20.pdf pdf_icon

MSF9N90

MSF9N20 N-Channel 200-V (D-S) MOSFET Description The MSF9N20 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low RDS(on) trench technology Lo

Otros transistores... MSF7N60 , MSF7N65 , MSF7N80 , MSF8N50 , MSF8N60 , MSF8N80 , MSF9N20 , MSF9N70 , AO3400 , MSK19N03 , MSK1N3 , MSK2N60F , MSK2N60T , MSK4D5N60F , MSK4D5N60T , MSK4N80F , MSK4N80T .

History: WMK36N65C4 | 2SK3549N | SHD224606 | ME8107-G | 2N06L09B | HUF76009D3ST | R6015ANZ

 

 
Back to Top

 


 
.