MSF9N90 Todos los transistores

 

MSF9N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSF9N90
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 47 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

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MSF9N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:811K  bruckewell
msf9n90.pdf

MSF9N90 MSF9N90

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 9.1. Size:609K  bruckewell
msf9n20.pdf

MSF9N90 MSF9N90

MSF9N20 N-Channel 200-V (D-S) MOSFET Description The MSF9N20 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low RDS(on) trench technology Lo

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