MSK4D5N60T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MSK4D5N60T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 106 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 3 nC
   Tiempo de subida (tr): 35 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 66 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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MSK4D5N60T Datasheet (PDF)

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msk4d5n60f msk4d5n60t.pdf

600V/4.5A N-Channel MOSFET MSK4D5N60T/F600V/4.5A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=600V, ID=4.5A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =2.5 @ VGS=10V Qg(typ.)=17nC RoHS C

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: NCE65T1K2

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: