MSK4D5N60T Todos los transistores

 

MSK4D5N60T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSK4D5N60T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 106 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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MSK4D5N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:617K  taitron
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MSK4D5N60T

600V/4.5A N-Channel MOSFET MSK4D5N60T/F600V/4.5A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=600V, ID=4.5A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =2.5 @ VGS=10V Qg(typ.)=17nC RoHS C

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History: BSL207SP | LSB55R050GT | S85N042RP | HM10P10D | FDU6688 | UPA1950

 

 
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