MSK4D5N60T Todos los transistores

 

MSK4D5N60T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSK4D5N60T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 106 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de MSK4D5N60T MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MSK4D5N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:617K  taitron
 msk4d5n60f msk4d5n60t.pdf pdf_icon

MSK4D5N60T

600V/4.5A N-Channel MOSFET MSK4D5N60T/F600V/4.5A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=600V, ID=4.5A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =2.5 @ VGS=10V Qg(typ.)=17nC RoHS C

Otros transistores... MSF9N20 , MSF9N70 , MSF9N90 , MSK19N03 , MSK1N3 , MSK2N60F , MSK2N60T , MSK4D5N60F , IRFB3607 , MSK4N80F , MSK4N80T , MSK7D5N60F , MSK7D5N60T , MSK7N80F , MSK7N80T , MSK9N50F , MSK9N50T .

History: IPSA70R450P7S | SSF4004 | RU2H50R | LNG04R050 | STP5NK65Z | IRFZ48R | PDN3611S

 

 
Back to Top

 


 
.