MSK4D5N60T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSK4D5N60T  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 106 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO-220

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MSK4D5N60T datasheet

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MSK4D5N60T

600V/4.5A N-Channel MOSFET MSK4D5N60T/F 600V/4.5A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for switching mode power supplies TO-220 Features VDSS=600V, ID=4.5A; Low Drain-Source ON Resistance RDS(ON) =2.5 @ VGS=10V Qg(typ.)=17nC RoHS C

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