Справочник MOSFET. MSK4D5N60T

 

MSK4D5N60T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSK4D5N60T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 106 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MSK4D5N60T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK4D5N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:617K  taitron
 msk4d5n60f msk4d5n60t.pdf pdf_icon

MSK4D5N60T

600V/4.5A N-Channel MOSFET MSK4D5N60T/F600V/4.5A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=600V, ID=4.5A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =2.5 @ VGS=10V Qg(typ.)=17nC RoHS C

Другие MOSFET... MSF9N20 , MSF9N70 , MSF9N90 , MSK19N03 , MSK1N3 , MSK2N60F , MSK2N60T , MSK4D5N60F , IRFB3607 , MSK4N80F , MSK4N80T , MSK7D5N60F , MSK7D5N60T , MSK7N80F , MSK7N80T , MSK9N50F , MSK9N50T .

History: FXN0206C | IQE006NE2LM5CG

 

 
Back to Top

 


 
.