MSK4D5N60T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MSK4D5N60T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 106 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 3 nC
Время нарастания (tr): 35 ns
Выходная емкость (Cd): 66 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.5 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для MSK4D5N60T
MSK4D5N60T Datasheet (PDF)
..1. Size:617K taitron
msk4d5n60f msk4d5n60t.pdf
msk4d5n60f msk4d5n60t.pdf
600V/4.5A N-Channel MOSFET MSK4D5N60T/F600V/4.5A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=600V, ID=4.5A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =2.5 @ VGS=10V Qg(typ.)=17nC RoHS C
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: NCE70N900 | NCE70T680
