MSK7D5N60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MSK7D5N60F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 121.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

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MSK7D5N60F Datasheet (PDF)

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msk7d5n60f msk7d5n60t.pdf

600V/7.5A N-Channel MOSFET MSK7D5N60T/F600V/7.5A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for active power factor correction Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=600V, ID=7.5A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: