MSK7D5N60F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSK7D5N60F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 121.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSK7D5N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK7D5N60F даташит

 ..1. Size:618K  taitron
 msk7d5n60f msk7d5n60t.pdf pdf_icon

MSK7D5N60F

600V/7.5A N-Channel MOSFET MSK7D5N60T/F 600V/7.5A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for active power factor correction Suitable for switching mode power supplies TO-220 Features VDSS=600V, ID=7.5A; Low Drain-Source ON Resistance RDS(ON) =

Другие IGBT... MSK19N03, MSK1N3, MSK2N60F, MSK2N60T, MSK4D5N60F, MSK4D5N60T, MSK4N80F, MSK4N80T, 12N60, MSK7D5N60T, MSK7N80F, MSK7N80T, MSK9N50F, MSK9N50T, MSP02N10, MSP2301N3, MSQ27N30