MSK7D5N60F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MSK7D5N60F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 5.5 nC
Время нарастания (tr): 130 ns
Выходная емкость (Cd): 121.8 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для MSK7D5N60F
MSK7D5N60F Datasheet (PDF)
..1. Size:618K taitron
msk7d5n60f msk7d5n60t.pdf
msk7d5n60f msk7d5n60t.pdf
600V/7.5A N-Channel MOSFET MSK7D5N60T/F600V/7.5A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for active power factor correction Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=600V, ID=7.5A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
