MSK7N80T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSK7N80T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 63.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 141 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.55 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MSK7N80T MOSFET
MSK7N80T Datasheet (PDF)
msk7n80f msk7n80t.pdf

800V/7A N-Channel MOSFET MSK7N80T/F800V/7A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for electronic ballast Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=800V, ID=7A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =1.55 @ VGS=10V
Otros transistores... MSK2N60T , MSK4D5N60F , MSK4D5N60T , MSK4N80F , MSK4N80T , MSK7D5N60F , MSK7D5N60T , MSK7N80F , AON7506 , MSK9N50F , MSK9N50T , MSP02N10 , MSP2301N3 , MSQ27N30 , MSQ2N60 , MSQ4N60 , MSQ5N50 .



Liste
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