Справочник MOSFET. MSK7N80T

 

MSK7N80T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSK7N80T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 85 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 63.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 141 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.55 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MSK7N80T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK7N80T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:620K  taitron
 msk7n80f msk7n80t.pdf pdf_icon

MSK7N80T

800V/7A N-Channel MOSFET MSK7N80T/F800V/7A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for electronic ballast Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=800V, ID=7A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =1.55 @ VGS=10V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.