MSQ2N60 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSQ2N60  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm

Encapsulados: QFN5X6

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de MSQ2N60 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MSQ2N60 datasheet

 ..1. Size:287K  bruckewell
 msq2n60.pdf pdf_icon

MSQ2N60

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http //www.bruckewell-semicon.com/ Product Specification PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MSQ2N60 Description The MSQ2N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The QFN-5X6 package which

Otros transistores... MSK7D5N60T, MSK7N80F, MSK7N80T, MSK9N50F, MSK9N50T, MSP02N10, MSP2301N3, MSQ27N30, STP80NF70, MSQ4N60, MSQ5N50, MSQ6N30, MSQ6N40, MSQ7434N, MSQ94P33, MSQ99N26, MSS34N40