MSQ2N60 Todos los transistores

 

MSQ2N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSQ2N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: QFN5X6
 

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MSQ2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  bruckewell
 msq2n60.pdf pdf_icon

MSQ2N60

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http://www.bruckewell-semicon.com/ Product Specification PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MSQ2N60 Description The MSQ2N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The QFN-5X6 package which

Otros transistores... MSK7D5N60T , MSK7N80F , MSK7N80T , MSK9N50F , MSK9N50T , MSP02N10 , MSP2301N3 , MSQ27N30 , 20N50 , MSQ4N60 , MSQ5N50 , MSQ6N30 , MSQ6N40 , MSQ7434N , MSQ94P33 , MSQ99N26 , MSS34N40 .

History: TK19A45D | UPA1900

 

 
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