MSQ7434N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSQ7434N  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0049 Ohm

Encapsulados: SOIC-8PP

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de MSQ7434N MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MSQ7434N datasheet

 ..1. Size:632K  bruckewell
 msq7434n.pdf pdf_icon

MSQ7434N

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSQ7434N Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS (on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications SOIC-8PP are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, P

Otros transistores... MSP02N10, MSP2301N3, MSQ27N30, MSQ2N60, MSQ4N60, MSQ5N50, MSQ6N30, MSQ6N40, 4N60, MSQ94P33, MSQ99N26, MSS34N40, MSS5P05D, MSS5P05U, MSU11N50Q, MSU12N60F, MSU12N60T