MSQ7434N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSQ7434N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0049 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8PP
Búsqueda de reemplazo de MSQ7434N MOSFET
MSQ7434N Datasheet (PDF)
msq7434n.pdf

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSQ7434N Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS (on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications SOIC-8PPare DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, P
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History: RDD022N60 | MSQ6N40



Liste
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