MSQ7434N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MSQ7434N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8PP
Аналог (замена) для MSQ7434N
MSQ7434N Datasheet (PDF)
msq7434n.pdf
Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSQ7434N Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS (on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications SOIC-8PPare DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, P
Другие MOSFET... MSP02N10 , MSP2301N3 , MSQ27N30 , MSQ2N60 , MSQ4N60 , MSQ5N50 , MSQ6N30 , MSQ6N40 , 4N60 , MSQ94P33 , MSQ99N26 , MSS34N40 , MSS5P05D , MSS5P05U , MSU11N50Q , MSU12N60F , MSU12N60T .
History: MSQ6N40 | IPA65R310CFD
History: MSQ6N40 | IPA65R310CFD
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor


