Справочник MOSFET. MSQ7434N

 

MSQ7434N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSQ7434N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8PP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MSQ7434N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:632K  bruckewell
 msq7434n.pdf pdf_icon

MSQ7434N

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSQ7434N Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS (on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications SOIC-8PPare DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, P

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SFG10R12BF | STB18NF25 | HAT2265H | NTMD6P02R2 | STT3458N | 2SK2146 | IPW60R330P6

 

 
Back to Top

 


 
.