MSQ7434N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSQ7434N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8PP

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSQ7434N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSQ7434N даташит

 ..1. Size:632K  bruckewell
 msq7434n.pdf pdf_icon

MSQ7434N

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSQ7434N Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS (on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications SOIC-8PP are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, P

Другие IGBT... MSP02N10, MSP2301N3, MSQ27N30, MSQ2N60, MSQ4N60, MSQ5N50, MSQ6N30, MSQ6N40, 4N60, MSQ94P33, MSQ99N26, MSS34N40, MSS5P05D, MSS5P05U, MSU11N50Q, MSU12N60F, MSU12N60T