Справочник MOSFET. MSQ7434N

 

MSQ7434N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSQ7434N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8PP
 

 Аналог (замена) для MSQ7434N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSQ7434N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:632K  bruckewell
 msq7434n.pdf pdf_icon

MSQ7434N

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSQ7434N Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS (on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications SOIC-8PPare DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, P

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.