MSU12N60F Todos los transistores

 

MSU12N60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSU12N60F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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MSU12N60F Datasheet (PDF)

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MSU12N60F

600V/12A POWER MOSFET (N-Channel) MSU12N60 600V/12A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU12N60 is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced technology. It is designed to have Better characteristics, such as fast switching time, low gate TO-220 TO-220F charge, minimized on-state resistance and withstanding high energy pulse in the avalanche and

Otros transistores... MSQ6N40 , MSQ7434N , MSQ94P33 , MSQ99N26 , MSS34N40 , MSS5P05D , MSS5P05U , MSU11N50Q , IRFZ46N , MSU12N60T , MSU18N40 , MSU1N60T , MSU1N60F , MSU1N60D , MSU1N60U , MSU2N60T , MSU2N60F .

History: AP4N2R6H | FQI3N25TU | ME95N03T | GM2302 | AO4800 | AON7518 | IPB77N06S2-12

 

 
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