MSU12N60F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSU12N60F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSU12N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSU12N60F даташит

 ..1. Size:714K  taitron
 msu12n60f msu12n60t.pdf pdf_icon

MSU12N60F

600V/12A POWER MOSFET (N-Channel) MSU12N60 600V/12A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU12N60 is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced technology. It is designed to have Better characteristics, such as fast switching time, low gate TO-220 TO-220F charge, minimized on-state resistance and withstanding high energy pulse in the avalanche and

Другие IGBT... MSQ6N40, MSQ7434N, MSQ94P33, MSQ99N26, MSS34N40, MSS5P05D, MSS5P05U, MSU11N50Q, SI2302, MSU12N60T, MSU18N40, MSU1N60T, MSU1N60F, MSU1N60D, MSU1N60U, MSU2N60T, MSU2N60F