Справочник MOSFET. MSU12N60F

 

MSU12N60F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSU12N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для MSU12N60F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSU12N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:714K  taitron
 msu12n60f msu12n60t.pdf pdf_icon

MSU12N60F

600V/12A POWER MOSFET (N-Channel) MSU12N60 600V/12A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU12N60 is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced technology. It is designed to have Better characteristics, such as fast switching time, low gate TO-220 TO-220F charge, minimized on-state resistance and withstanding high energy pulse in the avalanche and

Другие MOSFET... MSQ6N40 , MSQ7434N , MSQ94P33 , MSQ99N26 , MSS34N40 , MSS5P05D , MSS5P05U , MSU11N50Q , IRFZ46N , MSU12N60T , MSU18N40 , MSU1N60T , MSU1N60F , MSU1N60D , MSU1N60U , MSU2N60T , MSU2N60F .

History: BUK9K6R8-40E | TPW65R170M | NCE70T540I | RU2H30R | BUK9Y25-60E | 4N80L-T2Q-T

 

 
Back to Top

 


 
.