MSU12N60T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSU12N60T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 225 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 42 nC
Tiempo de subida (tr): 115 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
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MSU12N60T Datasheet (PDF)
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600V/12A POWER MOSFET (N-Channel) MSU12N60 600V/12A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU12N60 is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced technology. It is designed to have Better characteristics, such as fast switching time, low gate TO-220 TO-220F charge, minimized on-state resistance and withstanding high energy pulse in the avalanche and
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SRC65R145B
