MSU12N60T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSU12N60T  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 225 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO-220

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de MSU12N60T MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MSU12N60T datasheet

 ..1. Size:714K  taitron
 msu12n60f msu12n60t.pdf pdf_icon

MSU12N60T

600V/12A POWER MOSFET (N-Channel) MSU12N60 600V/12A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU12N60 is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced technology. It is designed to have Better characteristics, such as fast switching time, low gate TO-220 TO-220F charge, minimized on-state resistance and withstanding high energy pulse in the avalanche and

Otros transistores... MSQ7434N, MSQ94P33, MSQ99N26, MSS34N40, MSS5P05D, MSS5P05U, MSU11N50Q, MSU12N60F, AO3407, MSU18N40, MSU1N60T, MSU1N60F, MSU1N60D, MSU1N60U, MSU2N60T, MSU2N60F, MSU2N60D