MSU18N40 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSU18N40 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 235 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
Encapsulados: TO-220
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MSU18N40 datasheet
msu18n40.pdf
400V/18A POWER MOSFET (N-Channel) MSU18N40T 400V/18A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU18N40T is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced technology. It is designed to have Better characteristics, such as fast switching time, low gate TO-220 charge, minimized on-state resistance and withstanding high energy pulse in the avalanche and commu
Otros transistores... MSQ94P33, MSQ99N26, MSS34N40, MSS5P05D, MSS5P05U, MSU11N50Q, MSU12N60F, MSU12N60T, 18N50, MSU1N60T, MSU1N60F, MSU1N60D, MSU1N60U, MSU2N60T, MSU2N60F, MSU2N60D, MSU2N60U
History: AP10G04DF | IRFAF30 | MSU1N60F | IRF9Z24NLPBF | SI5485DU | IXTT82N25P | IXTT24N50Q
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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