MSU18N40 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSU18N40  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 235 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSU18N40

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSU18N40 даташит

 ..1. Size:376K  taitron
 msu18n40.pdf pdf_icon

MSU18N40

400V/18A POWER MOSFET (N-Channel) MSU18N40T 400V/18A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU18N40T is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced technology. It is designed to have Better characteristics, such as fast switching time, low gate TO-220 charge, minimized on-state resistance and withstanding high energy pulse in the avalanche and commu

Другие IGBT... MSQ94P33, MSQ99N26, MSS34N40, MSS5P05D, MSS5P05U, MSU11N50Q, MSU12N60F, MSU12N60T, 18N50, MSU1N60T, MSU1N60F, MSU1N60D, MSU1N60U, MSU2N60T, MSU2N60F, MSU2N60D, MSU2N60U