Справочник MOSFET. MSU18N40

 

MSU18N40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSU18N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 235 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MSU18N40

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSU18N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:376K  taitron
 msu18n40.pdf pdf_icon

MSU18N40

400V/18A POWER MOSFET (N-Channel) MSU18N40T 400V/18A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU18N40T is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced technology. It is designed to have Better characteristics, such as fast switching time, low gate TO-220 charge, minimized on-state resistance and withstanding high energy pulse in the avalanche and commu

Другие MOSFET... MSQ94P33 , MSQ99N26 , MSS34N40 , MSS5P05D , MSS5P05U , MSU11N50Q , MSU12N60F , MSU12N60T , 75N75 , MSU1N60T , MSU1N60F , MSU1N60D , MSU1N60U , MSU2N60T , MSU2N60F , MSU2N60D , MSU2N60U .

History: TPA65R180D | IRFI9630GPBF

 

 
Back to Top

 


 
.