IRFS644 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFS644
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFS644

IRFS644 Datasheet (PDF)

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November 2001IRF644B/IRFS644B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 14A, 250V, RDS(on) = 0.28 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 47 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF)This advanced technology has been especially tailored to

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Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.28 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 7.9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 250V Lower RDS(ON) : 0.214 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic V

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Liste

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