IRFS644 Todos los transistores

 

IRFS644 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFS644
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de IRFS644 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRFS644 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:309K  1
 irfs644 irfs645.pdf pdf_icon

IRFS644

 ..2. Size:276K  1
 irfs644.pdf pdf_icon

IRFS644

 0.1. Size:898K  fairchild semi
 irfs644b.pdf pdf_icon

IRFS644

November 2001IRF644B/IRFS644B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 14A, 250V, RDS(on) = 0.28 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 47 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 0.2. Size:900K  fairchild semi
 irf644b irfs644b.pdf pdf_icon

IRFS644

November 2001IRF644B/IRFS644B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 14A, 250V, RDS(on) = 0.28 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 47 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF)This advanced technology has been especially tailored to

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFS630A , IRFS632 , IRFS634 , IRFS634A , IRFS635 , IRFS640 , IRFS640A , IRFS642 , 18N50 , IRFS644A , IRFS645 , IRFS650A , IRFS654A , IRFS710A , IRFS720 , IRFS720A , IRFS721 .

History: APT6015LVFRG

 

 
Back to Top

 


 
.