Справочник MOSFET. IRFS644

 

IRFS644 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS644
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFS644

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS644 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:309K  1
 irfs644 irfs645.pdf pdf_icon

IRFS644

 ..2. Size:276K  1
 irfs644.pdf pdf_icon

IRFS644

 0.1. Size:898K  fairchild semi
 irfs644b.pdf pdf_icon

IRFS644

November 2001IRF644B/IRFS644B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 14A, 250V, RDS(on) = 0.28 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 47 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 0.2. Size:900K  fairchild semi
 irf644b irfs644b.pdf pdf_icon

IRFS644

November 2001IRF644B/IRFS644B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 14A, 250V, RDS(on) = 0.28 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 47 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF)This advanced technology has been especially tailored to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS630A , IRFS632 , IRFS634 , IRFS634A , IRFS635 , IRFS640 , IRFS640A , IRFS642 , 18N50 , IRFS644A , IRFS645 , IRFS650A , IRFS654A , IRFS710A , IRFS720 , IRFS720A , IRFS721 .

History: 2SK3847K | CTD02N007 | VBZE100N03 | AM4430N | CEU01N6G | PK615BMA | SSM4924GM

 

 
Back to Top

 


 
.