MSU7N60F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSU7N60F  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO-220F

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de MSU7N60F MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MSU7N60F datasheet

 ..1. Size:443K  taitron
 msu7n60f msu7n60t.pdf pdf_icon

MSU7N60F

600V/7.4A POWER MOSFET (N-Channel) MSU7N60 600V/7.4A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU7N60 is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced TO-220 technology. It is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance and withstanding high energy pulse in the avalanche and commutati

Otros transistores... MSU4N40, MSU4N60, MSU4N60S, MSU4N65, MSU5N50, MSU5N60T, MSU5N60F, MSU5N60D, IRFB7545, MSU7N60T, MSU8N50Q, MSU9N90P, MSW10N80, MSW11N90, MSW16N50, MSW20N50, MSW20N60