MTA340N02KC3 Todos los transistores

 

MTA340N02KC3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTA340N02KC3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.39 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-523
 

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MTA340N02KC3 Datasheet (PDF)

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MTA340N02KC3

Spec. No. : C915C3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2014.08.22 Revised Date : Page No. : 1/8 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTA340N02KC3 BVDSS 20V ID @VGS=4.5V 700mA RDSON@VGS=4.5V, ID=650mA 299m(typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=500mA 550m(typ) Features RDSON@VGS=1.8V,ID=200mA 1.05 (typ) Simple drive requirement Small package outline Pb

 5.1. Size:314K  cystek
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MTA340N02KC3

Spec. No. : C915N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2013.10.08 Revised Date : Page No. : 1/8 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTA340N02N3 ID 820mARDSON@VGS=4.5V, ID=650mA 299m(typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=500mA 541m(typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=200mA 1.05 (typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free lead platin

Otros transistores... MSU9N90P , MSW10N80 , MSW11N90 , MSW16N50 , MSW20N50 , MSW20N60 , MSW9N90 , MTA090N02KC3 , BS170 , MTA55N20J3 , MTB070P15J3 , MTB080N15J3 , MTB09P03E3 , MTB09P04DJ3 , MTB110P10L3 , MTB160N25J3 , MTB20A06Q8 .

History: ME04N25 | MTA55N20J3 | KX6N70

 

 
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