MTA340N02KC3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTA340N02KC3  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.39 Ohm

Encapsulados: SOT-523

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MTA340N02KC3 datasheet

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MTA340N02KC3

Spec. No. C915C3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2014.08.22 Revised Date Page No. 1/8 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTA340N02KC3 BVDSS 20V ID @VGS=4.5V 700mA RDSON@VGS=4.5V, ID=650mA 299m (typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=500mA 550m (typ) Features RDSON@VGS=1.8V,ID=200mA 1.05 (typ) Simple drive requirement Small package outline Pb

 5.1. Size:314K  cystek
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MTA340N02KC3

Spec. No. C915N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2013.10.08 Revised Date Page No. 1/8 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20V MTA340N02N3 ID 820mA RDSON@VGS=4.5V, ID=650mA 299m (typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=500mA 541m (typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=200mA 1.05 (typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free lead platin

Otros transistores... MSU9N90P, MSW10N80, MSW11N90, MSW16N50, MSW20N50, MSW20N60, MSW9N90, MTA090N02KC3, IRF730, MTA55N20J3, MTB070P15J3, MTB080N15J3, MTB09P03E3, MTB09P04DJ3, MTB110P10L3, MTB160N25J3, MTB20A06Q8