MTA340N02KC3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MTA340N02KC3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.39 Ohm

Тип корпуса: SOT-523

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MTA340N02KC3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTA340N02KC3 даташит

 ..1. Size:554K  cystek
 mta340n02kc3.pdf pdf_icon

MTA340N02KC3

Spec. No. C915C3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2014.08.22 Revised Date Page No. 1/8 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTA340N02KC3 BVDSS 20V ID @VGS=4.5V 700mA RDSON@VGS=4.5V, ID=650mA 299m (typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=500mA 550m (typ) Features RDSON@VGS=1.8V,ID=200mA 1.05 (typ) Simple drive requirement Small package outline Pb

 5.1. Size:314K  cystek
 mta340n02n3.pdf pdf_icon

MTA340N02KC3

Spec. No. C915N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2013.10.08 Revised Date Page No. 1/8 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20V MTA340N02N3 ID 820mA RDSON@VGS=4.5V, ID=650mA 299m (typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=500mA 541m (typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=200mA 1.05 (typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free lead platin

Другие IGBT... MSU9N90P, MSW10N80, MSW11N90, MSW16N50, MSW20N50, MSW20N60, MSW9N90, MTA090N02KC3, IRF730, MTA55N20J3, MTB070P15J3, MTB080N15J3, MTB09P03E3, MTB09P04DJ3, MTB110P10L3, MTB160N25J3, MTB20A06Q8