Справочник MOSFET. MTA340N02KC3

 

MTA340N02KC3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTA340N02KC3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.39 Ohm
   Тип корпуса: SOT-523

 Аналог (замена) для MTA340N02KC3

 

 

MTA340N02KC3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:554K  cystek
 mta340n02kc3.pdf

MTA340N02KC3 MTA340N02KC3

Spec. No. : C915C3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2014.08.22 Revised Date : Page No. : 1/8 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTA340N02KC3 BVDSS 20V ID @VGS=4.5V 700mA RDSON@VGS=4.5V, ID=650mA 299m(typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=500mA 550m(typ) Features RDSON@VGS=1.8V,ID=200mA 1.05 (typ) Simple drive requirement Small package outline Pb

 5.1. Size:314K  cystek
 mta340n02n3.pdf

MTA340N02KC3 MTA340N02KC3

Spec. No. : C915N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2013.10.08 Revised Date : Page No. : 1/8 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTA340N02N3 ID 820mARDSON@VGS=4.5V, ID=650mA 299m(typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=500mA 541m(typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=200mA 1.05 (typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free lead platin

Другие MOSFET... MSU9N90P , MSW10N80 , MSW11N90 , MSW16N50 , MSW20N50 , MSW20N60 , MSW9N90 , MTA090N02KC3 , IRFB3206 , MTA55N20J3 , MTB070P15J3 , MTB080N15J3 , MTB09P03E3 , MTB09P04DJ3 , MTB110P10L3 , MTB160N25J3 , MTB20A06Q8 .

 

 
Back to Top