2SJ140 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SJ140
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Encapsulados: TO220AB
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2SJ140 datasheet
2sj148.pdf
2SJ148 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 2SJ148 High Speed Switching Applications Unit mm Analog Switch Applications Interface Applications Excellent switching time ton = 14 ns (typ.) High forward transfer admittance Y = 100 mS (min) fs Low on resistance R = 1.3 (typ.) DS (ON) Enhancement-mode Complementary to 2SK9
2sj144.pdf
2SJ144 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ144 Audio Frequency Amplifier Applications Unit mm Analog Switch Applications Constant Current Applications Impedance Converter Applications High breakdown voltage VGDS = 50 V (min) High input impedance I = 1.0 nA (max) (V = 30 V) GSS GS Low R R = 270 (typ.) (I = -5 mA) DS (ON)
2sj146.pdf
Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SJ146 2SJ146 Silicon P-Channel MOS Unit mm For switching +0.2 2.8 0.3 +0.25 0.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 Features High-speed switching 1 Downsizing of sets by mini-type package and automatic insertion by taping/magazine packing are available. 3 2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Rating Unit 0.1 to 0.3 Drai
Otros transistores... 2SJ132 , 2SJ133 , 2SJ134 , 2SJ135 , 2SJ136 , 2SJ137 , 2SJ138 , 2SJ139 , AO3400 , 2SJ141 , 2SJ142 , 2SJ143 , 2SJ151 , 2SJ152 , 2SJ165 , 2SJ166 , 2SJ178 .
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Liste
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