MTA55N20J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTA55N20J3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 207 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.062 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTA55N20J3
MTA55N20J3 Datasheet (PDF)
mta55n20j3.pdf
Spec. No. : C976J3 Issued Date : 2014.09.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTA55N20J3 ID@VGS=10V 25AVGS=10V, ID=11A 52m RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=5A 52m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-252(DPAK)
mta55n02n3.pdf
Spec. No. : C323N3 Issued Date : 2013.12.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 20V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTA55N02N3 ID 3.6A29m(typ.)RDSON(MAX)@VGS=4.5V, ID=3.6A 39m(typ.)RDSON(MAX)@VGS=2.5V, ID=3.1A Features Simple drive requirement Small package outline Capable of 2.5V gate drive Pb-free lead platin
fmmta55 fmmta56.pdf
SOT SI I O A A TA DI O T A SISTO S TA 6ISS A A Y 6 T i I T I D T I T T T T SOT A SO T A I ATI S T T T IT II V I V V8 II i V I V V8 i V I V V i II I Di i i T i T T T T I A HA A T ISTI S a Ta T T T I I IT DITI II i V 8 V I I V I i V V I I V I II i I V V II I V 8 V I V V I i I V V T i I V V
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
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