MTB25C04Q8 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTB25C04Q8 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
Encapsulados: SOP-8
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de MTB25C04Q8 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
MTB25C04Q8 datasheet
mtb25c04q8.pdf
Spec. No. C955Q8 Issued Date 2015.03.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CH MTB25C04Q8 BVDSS 40V -40V ID @ TA=25 C, VGS=10V(-10V) 5.7A -4.9A ID @ TA=70 C, VGS=10V(-10V) 4.8A -4.1A ID @ TC=25 C, VGS=10V(-10V) 10A -8.6A ID @ TC=100 C, VGS=10V(-10V) 7.1A -6.1A RDSON(typ.) @VGS=(-)10V 21.
mtb25n04j3.pdf
Spec. No. C884J3 Issued Date 2012.12.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.14 Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40V MTB25N04J3 ID 29A RDS(ON)@VGS=10V, ID=12A 20m (typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 27m (typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalen
mtb25p04v8.pdf
Spec. No. C878V8 Issued Date 2014.03.11 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -40V MTB25P04V8 ID -27A RDSON@VGS=-10V, ID=-10A 13 m (typ) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-6A 19 m (typ) Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead plating and halogen-free packag
mtb25p06fp.pdf
Spec. No. C584FP Issued Date 2014.07.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60V MTB25P06FP ID -52A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-20A 18.8m (typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-20A 21.8m (typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circu
Otros transistores... MTB080N15J3, MTB09P03E3, MTB09P04DJ3, MTB110P10L3, MTB160N25J3, MTB20A06Q8, MTB20N04J3, MTB23P06VT4, IRF640, MTB2D5N03BH8, MTB2P50ET4G, MTB300N10L3, MTB30P06VT4, MTB30P06VT4G, MTB3D0N03BH8, MTB50P03HDLG, MTB50P03HDLT4
History: WST2315 | IRF9Z24NLPBF | MSF20N50 | SI5481DU | AP1605 | MSW16N50 | WSR25N20
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet | 2sa750 replacement | 2sc984 replacement | a1046 transistor
