APM4927K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APM4927K  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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APM4927K datasheet

 ..1. Size:511K  sino
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APM4927K

APM4927K Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D1 D1 D2 -30V/-9A, D2 RDS(ON)= 15m (typ.) @ VGS=-10V RDS(ON)= 28m (typ.) @ VGS=-4.5V S1 G1 Super High Dense Cell Design S2 G2 Reliable and Rugged Top View of SOP-8 Lead Free and Green Devices Available (1) (3) (RoHS Compliant) S1 S2 Applications (2) (4) G1 G2 Power Management in MB/NB

 0.1. Size:1454K  cn vbsemi
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APM4927K

APM4927KC www.VBsemi.tw Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.021 at VGS = - 10 V - 9.5 100 % UIS Tested RoHS - 30 15 nC COMPLIANT 0.028 at VGS = - 4.5 V - 8.0 APPLICATIONS Load Switches - Notebook PCs - Desktop PCs SO-8 S1 S2 - Game Stations S1 1 D1 8 G

 8.1. Size:137K  anpec
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APM4927K

APM4925K Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D1 -30V/-6.1A , D1 D2 RDS(ON)=24m (typ.) @ VGS=-10V D2 RDS(ON)=30m (typ.) @ VGS=-4.5V S1 G1 Super High Dense Cell Design S2 G2 Reliable and Rugged Top View of SOP - 8 SOP-8 Package Lead Free Available (RoHS Compliant)

 8.2. Size:148K  anpec
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APM4927K

APM4925 P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -30V/-6.1A, RDS(ON) = 24m (typ.) @ VGS = -10V S1 1 8 D1 RDS(ON) = 30m (typ.) @ VGS = -4.5V G1 2 7 D1 Super High Density Cell Design S2 3 6 D2 Reliable and Rugged G2 45 D2 SO-8 Package SO - 8 Applications S1 S2 Power Management i

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