APM4927K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APM4927K  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APM4927K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APM4927K даташит

 ..1. Size:511K  sino
apm4927k.pdfpdf_icon

APM4927K

APM4927K Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D1 D1 D2 -30V/-9A, D2 RDS(ON)= 15m (typ.) @ VGS=-10V RDS(ON)= 28m (typ.) @ VGS=-4.5V S1 G1 Super High Dense Cell Design S2 G2 Reliable and Rugged Top View of SOP-8 Lead Free and Green Devices Available (1) (3) (RoHS Compliant) S1 S2 Applications (2) (4) G1 G2 Power Management in MB/NB

 0.1. Size:1454K  cn vbsemi
apm4927kc.pdfpdf_icon

APM4927K

APM4927KC www.VBsemi.tw Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.021 at VGS = - 10 V - 9.5 100 % UIS Tested RoHS - 30 15 nC COMPLIANT 0.028 at VGS = - 4.5 V - 8.0 APPLICATIONS Load Switches - Notebook PCs - Desktop PCs SO-8 S1 S2 - Game Stations S1 1 D1 8 G

 8.1. Size:137K  anpec
apm4925k.pdfpdf_icon

APM4927K

APM4925K Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D1 -30V/-6.1A , D1 D2 RDS(ON)=24m (typ.) @ VGS=-10V D2 RDS(ON)=30m (typ.) @ VGS=-4.5V S1 G1 Super High Dense Cell Design S2 G2 Reliable and Rugged Top View of SOP - 8 SOP-8 Package Lead Free Available (RoHS Compliant)

 8.2. Size:148K  anpec
apm4925.pdfpdf_icon

APM4927K

APM4925 P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -30V/-6.1A, RDS(ON) = 24m (typ.) @ VGS = -10V S1 1 8 D1 RDS(ON) = 30m (typ.) @ VGS = -4.5V G1 2 7 D1 Super High Density Cell Design S2 3 6 D2 Reliable and Rugged G2 45 D2 SO-8 Package SO - 8 Applications S1 S2 Power Management i

Другие IGBT... APM1110K, APM1110NU, APM1110NUB, APM2055NU, APM2303A, APM2304A, APM4030BNU, APM4050BPU, 4435, APM6010K, APM6055NU, APM8010K, APM9988QG, APQ01SN60AA, APQ01SN60AB, APQ02SN60A, APQ02SN60AA