Справочник MOSFET. APM4927K

 

APM4927K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APM4927K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для APM4927K

 

 

APM4927K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:511K  sino
 apm4927k.pdf

APM4927K APM4927K

APM4927K Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD1D1D2 -30V/-9A,D2RDS(ON)= 15m (typ.) @ VGS=-10VRDS(ON)= 28m (typ.) @ VGS=-4.5VS1G1 Super High Dense Cell DesignS2G2 Reliable and RuggedTop View of SOP-8 Lead Free and Green Devices Available(1) (3) (RoHS Compliant)S1 S2Applications (2) (4)G1 G2 Power Management in MB/NB

 0.1. Size:1454K  cn vbsemi
 apm4927kc.pdf

APM4927K APM4927K

APM4927KCwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.021 at VGS = - 10 V - 9.5 100 % UIS TestedRoHS- 30 15 nCCOMPLIANT0.028 at VGS = - 4.5 V - 8.0APPLICATIONS Load Switches- Notebook PCs- Desktop PCsSO-8S1 S2- Game StationsS1 1 D18G

 8.1. Size:137K  anpec
 apm4925k.pdf

APM4927K APM4927K

APM4925KDual P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD1 -30V/-6.1A ,D1D2RDS(ON)=24m(typ.) @ VGS=-10V D2RDS(ON)=30m(typ.) @ VGS=-4.5VS1G1 Super High Dense Cell DesignS2G2 Reliable and RuggedTop View of SOP - 8 SOP-8 Package Lead Free Available (RoHS Compliant)

 8.2. Size:148K  anpec
 apm4925.pdf

APM4927K APM4927K

APM4925 P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin Description -30V/-6.1A, RDS(ON) = 24m(typ.) @ VGS = -10VS1 1 8 D1RDS(ON) = 30m(typ.) @ VGS = -4.5VG1 2 7 D1 Super High Density Cell DesignS2 3 6 D2 Reliable and RuggedG2 45 D2 SO-8 Package SO - 8ApplicationsS1 S2 Power Management i

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top