APM6055NU Todos los transistores

 

APM6055NU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APM6055NU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252-3
 

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APM6055NU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:545K  sino
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APM6055NU

APM6055NU N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/18A, D RDS(ON)=100m (Max.) @ VGS=10VS RDS(ON)=130m (Max.) @ VGS=4.5VG Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedTop View of TO-252-3 Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant)ApplicationsG Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters.SN-Chan

 9.1. Size:260K  sino
apm6010k.pdf pdf_icon

APM6055NU

APM6010K N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin ConfigurationDDD 60V/5A,DRDS(ON)=65m (max.) @ VGS=10VRDS(ON)=90m (max.) @ VGS=4.5VSS Super High Dense Cell DesignSG Reliable and RuggedTop View of SOP-8 Lead Free and Green Devices Available( 5,6,7,8 )(RoHS Compliant)D D D DApplications(4)G LED TV Application.S S S(1, 2, 3)N-Channel MO

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History: SRC60R017FBT4G | FDP023N08B | HM4402B | KO3414 | CS6N90A8H | 2SK4227JS

 

 
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