APM6055NU Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APM6055NU  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO-252-3

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APM6055NU datasheet

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APM6055NU

APM6055NU N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/18A, D RDS(ON)=100m (Max.) @ VGS=10V S RDS(ON)=130m (Max.) @ VGS=4.5V G Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Top View of TO-252-3 Lead Free and Green Devices Available D (RoHS Compliant) Applications G Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters. S N-Chan

 9.1. Size:260K  sino
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APM6055NU

APM6010K N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Configuration D D D 60V/5A, D RDS(ON)=65m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)=90m (max.) @ VGS=4.5V S S Super High Dense Cell Design S G Reliable and Rugged Top View of SOP-8 Lead Free and Green Devices Available ( 5,6,7,8 ) (RoHS Compliant) D D D D Applications (4) G LED TV Application. S S S (1, 2, 3) N-Channel MO

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