APM6055NU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APM6055NU  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO-252-3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APM6055NU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APM6055NU даташит

 ..1. Size:545K  sino
 apm6055nu.pdf pdf_icon

APM6055NU

APM6055NU N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/18A, D RDS(ON)=100m (Max.) @ VGS=10V S RDS(ON)=130m (Max.) @ VGS=4.5V G Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Top View of TO-252-3 Lead Free and Green Devices Available D (RoHS Compliant) Applications G Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters. S N-Chan

 9.1. Size:260K  sino
 apm6010k.pdf pdf_icon

APM6055NU

APM6010K N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Configuration D D D 60V/5A, D RDS(ON)=65m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)=90m (max.) @ VGS=4.5V S S Super High Dense Cell Design S G Reliable and Rugged Top View of SOP-8 Lead Free and Green Devices Available ( 5,6,7,8 ) (RoHS Compliant) D D D D Applications (4) G LED TV Application. S S S (1, 2, 3) N-Channel MO

Другие IGBT... APM1110NUB, APM2055NU, APM2303A, APM2304A, APM4030BNU, APM4050BPU, APM4927K, APM6010K, SKD502T, APM8010K, APM9988QG, APQ01SN60AA, APQ01SN60AB, APQ02SN60A, APQ02SN60AA, APQ02SN60AB, APQ02SN60AF