Справочник MOSFET. APM6055NU

 

APM6055NU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APM6055NU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-252-3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

APM6055NU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:545K  sino
 apm6055nu.pdf pdf_icon

APM6055NU

APM6055NU N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/18A, D RDS(ON)=100m (Max.) @ VGS=10VS RDS(ON)=130m (Max.) @ VGS=4.5VG Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedTop View of TO-252-3 Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant)ApplicationsG Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters.SN-Chan

 9.1. Size:260K  sino
 apm6010k.pdf pdf_icon

APM6055NU

APM6010K N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin ConfigurationDDD 60V/5A,DRDS(ON)=65m (max.) @ VGS=10VRDS(ON)=90m (max.) @ VGS=4.5VSS Super High Dense Cell DesignSG Reliable and RuggedTop View of SOP-8 Lead Free and Green Devices Available( 5,6,7,8 )(RoHS Compliant)D D D DApplications(4)G LED TV Application.S S S(1, 2, 3)N-Channel MO

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SSM2309GN | BUZ51 | IRFS9541 | IPAN60R280PFD7S | AO3423 | 2SK1685 | IRFR5410TR

 

 
Back to Top

 


 
.